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Synthesis and Photophysical Properties of a Sc3N@C80‐Corrole Electron Donor–Acceptor Conjugate 下载免费PDF全文
Bin Liu Hongyun Fang Prof. Xiaofang Li Wenting Cai Lipiao Bao Marc Rudolf Fabian Plass Prof. Louzhen Fan Prof. Xing Lu Prof. Dirk M. Guldi 《Chemistry (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2015,21(2):746-752
Embedding endohdedral metallofullerenes (EMFs) into electron donor–acceptor systems is still a challenging task owing to their limited quantities and their still largely unexplored chemical properties. In this study, we have performed a 1,3‐dipolar cycloaddition reaction of a corrole‐based precursor with Sc3N@C80 to regioselectively form a [5,6]‐adduct ( 1 ). The successful attachment of the corrole moiety was confirmed by mass spectrometry. In the electronic ground state, absorption spectra suggest sizeable electronic communications between the electron acceptor and the electron donor. Moreover, the addition pattern occurring at a [5,6]‐bond junction is firmly proven by NMR spectroscopy and electrochemical investigations performed with 1 . In the electronically excited state, which is probed in photophysical assays with 1 , a fast electron‐transfer yields the radical ion pair state consisting of the one‐electron‐reduced Sc3N@C80 and of the one‐electron‐oxidized corrole upon its exclusive photoexcitation. As such, our results shed new light on the practical work utilizing EMFs as building blocks in photovoltaics. 相似文献
4.
Bao Nguyen Xuan Duy Khanh Phan Quoc Tung Nguyen Minh 《Set-Valued and Variational Analysis》2022,30(2):465-486
Set-Valued and Variational Analysis - We aim to establish Karush-Kuhn-Tucker multiplier rules involving higher-order complementarity slackness under Hölder metric subregularity. These rules... 相似文献
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通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型,利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程,推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场Hex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式,得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式,导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系,对材料磁导率的实部及虚部随Hex的变化进行了计算,并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来.
关键词:
非晶态合金薄带及膜
取向相关磁导率
GMI效应理论与计算
近横向各向异性场 相似文献
7.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
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10.
应用带完全匹配层边界条件的全矢量有限元方法,分析了高折射率椭圆芯布拉格光纤的偏振特性,详细讨论了光纤结构参量对模式双折射度以及群速度走离的影响,结果发现:高折射率椭圆芯布拉格光纤的模式双折射度可达10-2量级,比传统保偏光纤至少高出一个量级,并且表现出不同于传统保偏光纤的群速度走离特性;在保持较高双折射度的同时,通过合理的结构设计,可在一定的波长处灵活地获得较大的群速度走离或零走离特性,具有重要的潜在应用价值;最后,简要分析了低折射率区域的折射率变化对偏振特性的影响;研究结果有助于设计高性能的微结构保偏光纤。 相似文献